■ DSi200/DSi300硅光电探测器
硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图：(右) |
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型号列表及主要技术指标：
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技术指标＼型号名称 |
DSi200 紫敏硅探测器 |
DSi300 硅探测器 |
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进口紫外增强型 |
国产低暗电流型 |
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有效接收面积(mm2) |
100(Φ11.28) |
100(10×10) |
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波长范围(nm) |
200-1100 |
300-1100 |
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峰值波长(nm) |
------- |
800±20 |
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峰值波长响应度(A/W) |
0.52 |
>0.4 |
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254nm的响应度(A/W) |
0.14(>0.09) |
------- |
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响应时间(μs) |
5.9 |
------- |
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工作温度范围(℃) |
-10～+60 |
------- |
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储存温度范围(℃) |
-20～+70 |
------- |
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分流电阻RSH(MΩ) |
10(>5) |
------- |
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等效噪声功率NEP (W/√Hz) |
4.5×10-13 |
------- |
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暗电流(25℃；-1V) |
------- |
1X10-8—5×10-11 A |
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结电容(pf) |
4500 |
<3000(-10V) |
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信号输出模式 |
电流 |
电流 |
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输出信号极性 |
正（P） |
正（P） |
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硅光电探测器使用建议：
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。
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