• zolix闪烁晶体的光谱、寿命、成像、光产额测量

    详细信息

     品牌:zolix  型号:-  加工定制:是  
    产品概述
    近年来,钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面,钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得,成本极低,且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面,铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点,在X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。
    卓立汉光能够提供基于X 射线的稳态发光光谱,荧光寿命,瞬态光谱以及X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量(CMOS 成像,单像素成像,TFT 面阵成像)、辐射剂量表、辐射安全防护等,辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》(GBZ115-2023)。
    如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细
    (一) 稳态光谱及荧光寿命采集

    • 基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法
    • 纳秒脉冲X 射线
    • 稳态和寿命测量数据
    (二)X 射线探测成像
    • X 射线探测成像光路图
    • X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量
    • TFT 集成的面阵X 射线成像
    • 成像测量结果
    (三) 技术参数
    稳态光谱及荧光寿命采集
    基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法
    包含:皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。
    由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上,样品发射荧光,经光谱仪分光之后,由探测器探测光信号,数据采集器读取数据。

    理图皮秒X 射线测量荧光寿命原
    纳秒脉冲X 射线

    150KV 纳秒脉冲X 射线

    * 安全距离要求:a:3米,b:6 米,c:30 米
    稳态和寿命测量数据

    eV,不同管电流激发下的辐射发光光谱NaI 样品在管电压50K

    曲线纳秒X 射线激发的荧光衰减
    X 射线探测成像
    X 射线探测成像光路图

    X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量
    TFT 集成的面阵X 射线成像

    TFT 传感芯片规格

    TFT 读取系统规格

    成像测量结果

    实物图CMOS 成像
    分辨率指标:TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时,分辨率可以优于20lp/mm
    手机充电头成像测试
    密码狗成像测试
    技术参数

    稳态X 射线激发发光测量

    光源  

    能量:4-50KV,功率:0-50W 连续可调,靶材:钨靶,铍窗厚度 200μm

    样品位置辐射剂量:0-25Sv/h

    光路

    透射和反射双光路,可切换

    光谱范围

    200-900nm(可扩展近红外)

    监视器

    内置监视器方便观察样品发光,可拍照

    快门

    可控屏蔽快门,辐射光源*大功率下,关闭快门,样品位置辐射剂量小于10uSv/h

    辐射防护

    满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》(GBZ115-2023)

    样品支架

    配备粉末、液体、薄膜样品架

    成像测量模块

    成像面积:直径20mm(可定制更大面积:120mm×80mm)

    成像耦合光路附件,样品测试夹具
    相机参数:颜色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),
    像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗电流:0.001e-/pixel/s,
    制冷温度:-15℃,成像分辨率:优于20lp/mm

    瞬态X 射线激发发光测量

    光源

    皮秒脉冲X 射线源

    纳秒脉冲X 射线源*

    405nm ps 激光二极管:波长:100Hz-100MHz 可调,

    峰值功率:400mW@ 典型值,脉冲宽度:<100ps
    光激发X 射线光管:辐射灵敏度:QE10%(@400nm),靶材:钨,
    操作电压:40KV,操作电流:10μA@ 平均值,50μA@*大值

    电压:150KV

    脉冲宽度:50ns
    重复频率:10Hz
    平均输出剂量率:2.4mR/pulse

    数据采集器

    TCSPC 计数器

    条纹相机(同时获得光谱和寿命)

    示波器

     

    瞬时饱和计数率:100Mcps

    时间分辨率(ps):16/32/64/128/
    256/512/1024/…/33554432
    通道数:65535
    死时间:< 10ns
    支持稳态光谱采集
    数据接口:USB3.0
    *大量程:1.08μs @16ps,
    67.1μs@1024ps,
    2.19s@33554432ps

     

    光谱测量范围:200-900nm

    时间分辨率:<=5ps,
    ( *小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)
    探测器:同步扫描型通用条纹相机ST10
    测量时间窗口范围:500ps-100us
    ( 十档可选)
    工作模式:静态模式,高频同步模式以及
    低频触发模式;
    系统光谱分辨率:<0.2nm@1200g/mm
    单次成谱范围:>=100nm@150g/mm
    静态(稳态)光谱采集,
    瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集

    模拟带宽:500 MHz

    通道数:4+ EXT
    实时采样率:5GSa/s( 交织模式),
    2.5GSa/s( 非交织模式)
    存储深度:250Mpts/ch( 交织模式),
    125 Mpts/ch( 非交织模式)

     

    寿命尺度

    500ps-10μs

    100ps-100μs

     100ns-50ms

    X 射线探测成像

    方式

    CMOS 成像

    单像素探测器

    TFT 集成的面阵探测器

    配置

    成像耦合光路附件,样品测试夹具

    相机参数:
    颜色:黑白
    分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V)
    像元尺寸:2.4μm×2.4μm
    量子效率:84%@495nm
    暗电流:0.001e-/pixel/s
    制冷温度:-15℃

    XY 二维电动位移台:

    XY5050:
    行程:X 轴50mm,Y 轴50mm,重复定
    位精度1.5μm,水平负载4Kg;
    XY120120:
    行程:X 轴120mm,Y 轴120mm,重复
    定位精度3μm,水平负载20Kg

    TFT 阵列传感芯片

    (可提供直接型和间接型芯片):
    背板尺寸(H×V×T):
    44.64×46.64×0.5 mm,
    有源区尺寸(H×V):32×32mm,
    分辨率(H×V):64×64,
    像素大小:500×500μm
    TFT 读出系统:
    成像规格:
    解析度:64 行×64 列,
    数据灰阶:支持256 灰阶显示,
    数据通信方式:WIFI 无线通讯,
    数据显示载体:手机/ 平板(Android 9.0
    以上操作系统、6GB 以上运行内存)

    辐射剂量

    测定辐射计量表

    探测器:塑料闪烁体, Ø30x15 mm

    连续长期辐射:50 nSv/h ... 10 Sv/h
    连续短期辐射:5 μSv/h ... 10 Sv/h
    环境剂量当量测量范围:10 nSv ... 10 Sv
    连续的短时辐射响应时间:0.03 s
    相对固有误差:连续和短期辐射:±15% *大
    137 Cs 灵敏度:70 cps/(μSv·h-1 )
    剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) < 2 s
    光产额测量方案
    闪烁晶体的光产额(也称为光输出或光子产额)是指晶体在受到电离辐射(如γ 射线、X 射线或粒子)激发后,发射光子(通常是可见光)的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示,单位可以是光子/MeV。
    光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一,它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一,也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠(NaI),碘化铯(CsI),和氧化镧掺铈(LaBr3)等。不同的晶体材料会有不同的光产额,这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。
    一些常见闪烁晶体的光产额值如下:
    碘化钠(NaI(Tl)):约38,000 photons/MeV
    氯化铯(CsI(Tl)):约54,000 photons/MeV
    氧化铈掺杂的氧化镧(LaBr3):约63,000 photons/MeV
    钇铝石榴石掺杂铈离子(YAG:Ce):约14,000 photons/MeV
    光产额越高,意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子,从而在探测器中生成更强的信号,通常也会导致更好的能量分辨率。
    卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱(被测器件及光路)、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件,实现闪烁体的光产额测量。

    同位素源

    Na-22(或  Cs-137 可选),屏蔽铅箱(被测器件及光路),充分保证测试人员安全

    光电倍增管

    光谱范围:160-650nm,有效面积:46mm 直径,上升时间:≤ 0.8ns

    高压稳压电源

    提供:0-3000V

    闪烁体前置放大器 :

    上升时间< 60ns

    积分非线性≤ ±0.02%

    计数率:250 mV 参考脉冲的增益偏移 <0.25%,同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率,

    前置放大器下降时间:信号源阻抗为 1 MΩ,则下降时间常数为 50 μs

    谱放大器

    高性能能谱,适合所有类型的辐射探测器(Ge、Si、闪烁体等) 积分非线性(单极输出): 从 0 到 +10V<0.025%

    噪声:增益 >100 时,等效输入噪声 <5.0uV rms;手动模式下,增益> 1000 时,等效输入噪声

    <4.5uV rms;或者自动模式下,增益 >100 时,等效输入噪声 <6.0uV rms

    温度系数(0 到 50° C)单极输出:增益为 <+0.005%/'C,双极输出:增益为 <+0.07%/'C,直流电 平为 <+30μV/° C

    误差:双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 <±3 ns

    增益范围:2.5-1500 连接可调,增益是 COARSE(粗调)和 FINE GAIN(微调增益)的乘积。

    单极脉冲形状:可用开关为 UNIPOLAR(单极)输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。

    配置专用 3kv 高压电源

    2K 通道多道分析仪

    ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间,包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士  0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 :< 士 50 ppm/° C

    死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度*高可达 480Mbps

    操作电脑

    /

    光学平台

    尺寸:1500*1200*800mm

    台面 430 材质,厚度 200mm,带脚轮。固有频率:7-18Hz,整体焊接式支架

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